多晶PERC电池LeTID研究进展及相关测试标准

摘要：

介绍了LeTID研究进展、GCL抗LeTID研究进展、LeTID测试标准以及关于LeTID的部分观点:烧结温度与LeTID关系少子寿命衰减曲线分为一个快速衰减阶段和一个慢速指数衰减阶段;650℃烧结的硅片无衰减;存在一个临界温度,介于650℃和900℃之间。

关键词： PERC电池 热辅助光致衰减 烧结温度 升温速率 测试标准

作者单位: 协鑫集成

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1-19

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）