过渡金属Hf掺杂氧化铟透明导电薄膜初步研究

摘要：

介绍了研究背景及意义、Hf掺杂In2O3的电学及结构等性能、在电池中的应用背景及意义。金属导电性+可见光范围的透明性、导电性能:可以通过控制掺杂浓度等实现从绝缘体、半导体到导体的转变,电导率正比于载流子浓度和载流子迁移率过渡金属。

关键词： 氧化铟透明导电薄膜 铪掺杂 透明性 导电性能

作者: 王光红 赵雷 刁宏伟 王文静

作者单位: 中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049 中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1-12

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）