高效晶硅异质结太阳电池发射极能带结构的理论优化研究

摘要：

采用异质结结构是晶硅太阳电池获得高效率的发展方向。可用于构成异质结的备选材料很多，但需从理论上进行一定的优化选择。p型发射极需要具备较大的功函数，并且要在5.17至5.72 eV之间，但不是电池获得高效率的充分条件，还需要考虑发射极的价带能级Ev的位置。为降低制备难度，对发射极掺杂度要求越低越好，此时p型发射极的Ev大约在-5.57eV，功函数只需达到5.21eV即可。发射极掺杂度不高的情况下，实际电池制备时需考虑电极欧姆接触问题。

关键词： 太阳电池 晶硅异质结 p型发射极 能带结构

作者: 赵雷 王光红 刁宏伟 王文静

作者单位: 中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190;中国科学院大学,北京 100049 中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1-9

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）