全铝背场背银技术报告

摘要：

银直接与硅片接触会形成复合，会直接损失效率0.1-0.2％，形成全铝背场理论上可提高效率。接下来要提高银浆固含，增强银浆致密性，控制中间层玻璃材料对银浆的渗透，解决可焊性及拉力问题。

关键词： 硅片 全铝背场背银 致密性 可焊性

作者: 张屹

作者单位: 中国科学技术大学纳米学院;南通天盛新能源股份有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1-12

在线出版日期: 2018-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）