前表面掺杂非晶硅的特性对异质结-背接触(HBC)电池性能的影响
前表面n型非晶硅的厚度对电池性能有影响;前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运;当n型非晶硅厚度为5nm,能带宽度大于1.92eV时,模拟得到电池的效率大于25%。在前表面结构优化的情况下,利用硬掩膜技术进行了SHJ-IBC电池的制备,最终得到了19.8%的电池转换效率。
异质结-背接触太阳能电池 n型非晶硅 禁带宽度 光电转换效率
包建辉 贾锐 陶科 姜帅 周颖 姬濯宇
中国科学院微电子研究所
国内会议
南昌
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2018-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)