创新XtackingTM架构释放3D NAND闪存潜能

摘要：

随着3D NAND技术迅速成为企业级闪存的标准,并在各类应用中得到广泛应用,面向更高性能,更高存储密度和更低成本的持续创新和发展从而变得至关重要.传统的3D NAND闪存工艺由于受到高温、应力等复杂因素,折衷影响到性能的表现.不仅如此,将CMOS与外围电路在同一片晶圆上并排加工也浪费了硅的面积并增加了冗余的工艺.长江存储创新XtackingTM架构成功地克服了这些挑战,释放3D NAND的全部潜力.XtackingTM将为存储密度的持续增长注入新的动力,同时将为闪存带来前所未有的更高性能,更低的成本,以及更短的开发周期和产品上市周期.挑战和机遇并存,长江存储将迎难而上,服务智能手机,SSD和物联网应用领域不断增长的需求.

关键词： 存储器 集成电路 闪存性能

作者: 程卫华

作者单位: 长江存储科技有限责任公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 12-13

在线出版日期: 2018-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）