深耘IGBT芯技术,助力新能源

摘要：

IGBT将绝缘栅简易控制特性与双极器件的强大导电能力结合起来，弥补了功率MOS在高压领域通态电阻偏大的不足。

关键词： 绝缘栅半导体器件 芯片结构 导电能力 电阻特征

作者: 杨继业

作者单位: 上海华虹宏力半导体制造有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 2018中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会

会议地点: 无锡

会议语种:中文

页码: 140-147

在线出版日期: 2018-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）