NAND Flash Memory Burn-In Test Solutions

摘要：

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关键词： 存储器 损毁测试 技术改进

作者: Kentaro Yano Hisao Horibe Kenji Yamamoto

作者单位: Sojitz Machinery Corporation STK Technology Co.,Ltd

会议类型: 国内会议

会议名称: 2017中国集成电路产业发展研讨会暨第二十届中国集成电路制造年会

会议地点: 南京

会议语种:英文

页码: 108-116

在线出版日期: 2017-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）