“IGBT先进制造-面临机遇和挑战”圆桌论坛

摘要：

特定耐压指标的IGBT器件，芯片厚度也是特定的，需要减薄到100-200μm，甚至到80pm。比如在100～200pm量级，当硅片磨到这么薄后，后续的加工处理就比较困难了，特别是对于8寸以上的大硅片，极易破碎，难度更大。传统人工用吸笔传放晶圆，效率低、破片率高且易被污染。本文研制的IGBT薄片自动化传送设备，可安全地运送及翻转脆弱晶圆。机器人旁抓型夹爪及对位器具使用美国专利技术的智能接触设计。采用非接触原理，在晶圆和末端执行器之间产生便于空气流通的间隙，既可以避免晶圆面与夹持装置的接触，又能够产生足够的吸力来吸取晶圆。

关键词： 绝缘栅双极晶体管器件 制备工艺 耐压指标 芯片厚度 晶圆传送 自动化设备

作者: 赵宁

作者单位: 上海新创达智能科技有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 2017中国集成电路产业发展研讨会暨第二十届中国集成电路制造年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 210-215

在线出版日期: 2017-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）