非易失半导体存储器技术
目前计算机采用层次化的存储架构。越接近CPU所需的存储速度越快，而目前存储器由于自身局限，速度无法赶上逻辑器件的运行速度。为了提高基本器件的性能，集成架构需要由平面走向三维，系统架构也需要进行一定改变。镁光提出的3DXPoint技术，第一次摒弃三端器件，采用两端器件作为存储单元新技术的出现就有新的机会，意味着更大的研究空间，但选择管仍为技术上需要解决的关键。另一方面，除了在存储器方面的应用，阻变存储器也开始在非易失性逻辑领域崭露头角，特别是在神经技术方面得到了广泛的重视。
半导体存储器 非易失性 三维架构 选择管
刘明
中国科学院微电子研究所
国内会议
武汉
中文
225-229
2014-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）