反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究

摘要：

以SF<,6>/N<,2>混合气体对Si反应离子刻蚀工艺研究为例提出干法刻蚀计算机工艺模拟的方法：在分段拟合优化工艺条件下采用人工神经网络方法建立干法刻蚀仿真模型，可以予测给定射频功率、总气流量下刻蚀速率和纵横比，并且以仿真实验数据训练模型学习，模型具有通用性，与设备无关。

关键词： 干法刻蚀 工艺仿真 人工神经网络

作者: 陆建祖 魏红振 李玉鉴

作者单位: 集成光电子学国家实验室中国科学院半导体所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 420～424

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）