ＮＩＣＰ刻蚀设备及工艺研究

摘要：

介绍了一种高速干法刻蚀设备ＮＩＣＰ－１型机。在该机上研究了硅的深腐蚀工艺，其腐蚀速率可达３μ／ｍｉｎ，硅与光刻胶刻蚀速率比达到１２５：１，可满足微机械加工的需要。

关键词： 干法刻蚀 ＩＣＰ刻蚀机 硅的深蚀工艺

作者: 韩阶平 魏珂 田如江 刘辉

作者单位: 科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 449～451

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）