微尺度异质外延结构中位错行为的研究
微光电器件的光电性能是通过应变来调控的,其中两种调控应变的典型异质外延结构为薄膜-基底结构和核壳结构.但是,在异质外延结构的加工制备过程中,由于错配位错的形成和演化会引起应变的释放,从而改变光电性能.本文借助单根位错的相场描述,在热力学框架下建立了微尺度晶体塑性模型,得到耦合平衡方程,其中宏观平衡方程描述系统的应力场分布,微观平衡方程描述位错的演化.该模型的优点是可以在统一的连续力学框架下考虑位错之间以及位错与表界面之间的相互作用.借助该模型,预测了异质外延核壳结构中出现错配位错的临界壳厚度,研究了异质外延膜中位错在错配应力作用下的演化.
微光电器件 异质外延结构 位错行为 光电性能
汪丽媛 柳占立 庄茁
清华大学航天航空学院,100084
国内会议
北京
中文
13-18
2016-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）