nBn型InSb红外探测器研究
势垒层探测器由White A M在1983年提出,nBn结构是其中的一种类型,其最大的特点是用高势垒层代替了传统pn结结构中的耗尽层,可以有效防止SRH产生复合电流、陷阱辅助隧穿电流、直接隧穿电流等结生暗电流,R0A可高达106量级,同时,由于器件结构中吸收层掩埋在宽禁带的势垒区下,势垒层起到了部分钝化的作用,表面漏电流也大幅降低.
锑化铟红外探测器 势垒层 钝化作用 表面漏电流
周朋 邢伟荣 刘铭
华北光电技术研究所
国内会议
太原
中文
17-17
2017-08-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)