GaN的选择性退火热分解研究
GaN作为第三代半导体材料的重要成员,由于它在蓝光或深紫外光光电器件上的应用前景,日益受到人们的广泛关注.众所周知,GaN有两个极性方向,GaN的(0001）方向,即GaN分子中Ga到N沿C轴长键方向,与外延方向存在平行和反平行两种情况,如果是平行,即为Ga面,而反平行方向则为N面.随着对GaN材料结构设计、外延生长和器件制备研究的深入,尤其是在基于压电效应的异质结、量子阱结构器件研究方面,GaN晶格极性的重要性越来越引起人们的关注.本工作首先利用等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）在Si（111）衬底上以自组装方式外延生长了N 极性的GaN 纳米线，并利用致密的AlN 薄层在Si（111）上实现了Ga极性纳米线的外延生长，N 极性和Ga 极性GaN 纳米棒的扫描电子显微镜图像。然后，采用选择性退火方法对所生长的样品在不同温度条件下进行退火处理。
氮化镓 外延生长 自组装 选择性退火
李铎 王平 孙萧萧 盛博文 李沫 张健 王新强 沈波
北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都 610299
国内会议
太原
中文
27-28
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）