高质量InSb材料的MBE同质和异质外延生长
InSb材料是波长在3-5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料之一.本文以本单位内部生产的InSb(100）衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧机制、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3nm(10μm×10μm）,FWHM≈7arcsec;采用相同的生长温度和V/III束流比,并且采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延本征非掺杂的InSb层,获得了较高质量的InSb本征异质外延样品,2μm样品的室温电子迁移率高达6.06×104cm2V-1s-1,FWHM<190arcsec.InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺铝InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据.
锑化铟 异质外延生长 同质外延生长 电子迁移率
尚林涛 周朋 刘铭
华北光电技术研究所
国内会议
太原
中文
29-29
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）