GaAs衬底上HgTe薄膜分子束外延生长和表征

摘要：

HgTe是一种特殊的半导体,它具有反带结构的闪锌矿型结构,表现出半金属特性,具有非常强的自旋轨道耦合.2007年,德国的Molenkamp研究组通过实验验证HgTe/CdTe超晶格结构可以实现量子自旋霍尔效应,开启了拓扑绝缘体材料的研究热潮.最近几年研究人员发现应变HgTe薄膜也是一种很好的三维拓扑绝缘体材料,呈现很多反常的输运特性.上述结果分析表明成功外延较好质量的HgTe单晶薄膜。研究发现，生长温度波动对HgTe薄膜质量产生很大的影响。

关键词： 碲化汞薄膜 分子束外延生长 砷化镓衬底 温度波动 薄膜质量

作者: 张健 张圣熙 巫艳 陈平平 陆卫

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 31-32

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）