GaAs(100)衬底上不同晶向CdTe薄膜的可控生长
CdTe材料由于CdTe有着独特的光电性能,可以应用在在太阳能转换以X-及γ探测器件方面;此外CdTe材料还可以用做HgCdTe红外材料的衬底.为了得到高质量的CdTe单晶材料,研究人员进行了广泛探索.特别是最近几年,随着GaAs基HgCdTe材料在应用上的需求,需要在GaAs衬底上生长出高质量的CdTe薄膜.有研究表明在CdTe(100）或(111)衬底上也可以生出长高质量HgCdTe薄膜,而目前在GaAs(211)B上外延CdTe缓冲层的研究比较多,相对而言在GaAs(100)B衬底上外延CdTe薄膜的研究较少.
碲化镉薄膜 外延生长 晶体结构 砷化镓衬底
张圣熙 张健 巫艳 陈平平
中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室
国内会议
太原
中文
37-37
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）