近全组分可调的高质量纯闪锌矿结构GaAs1-xSbx纳米线

摘要：

本报告将首先简单介绍近年来在窄禁带半导体纳米结构方面的一些研究进展.接下来将详细介绍最近在Ga液滴自催化GaAs1-xSbx纳米线的分子束外延生长方面开展的研究工作.通过调控Sb和As源炉束流,在Si(111)衬底和GaAs纳米线上分别制备出Sb组分范围为0≤x≤0.60和0≤x≤0.50的GaAs1-xSbx纳米线.

关键词： 半导体纳米线 纯闪锌矿结构 分子束外延生长 组分调控

作者: 赵建华

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 48-48

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）