高对称性量子点的原位生长及其物理特性的研究
当量子点高度对称时,其精细结构分裂小于光子辐射宽度,从而激子和双激子发射的光子对可以直接产生偏振纠缠.同时半导体量子点具有固态、易集成以及可控触发等特性,因此被认为是理想的可扩展纠缠光子源.一旦能够规模化制备,将极大促进相关量子技术的应用和发展,对基于纠缠的量子通信、量子隐形传态、量子计算等都有重要的意义.在不经任何调控的情况下，其辐射的光子对纠缠保真度为0.94±0.01，全同性为0.93±0.07，为目前已报道结果中最优。工作提供了一种低成本、不需要二次外延和外部调控便可以原位制备高品质量子点纠缠光子源的方式，有望在量子信息技术的发展中得到应用。
半导体量子点 原位生长 物理特性
霍永恒
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室,中科大上海研究院,合肥市金寨路96号,230026
国内会议
太原
中文
49-50
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）