斜切Si(001)衬底上GeSi纳米结构的可控制备

摘要：

GeSi纳米结构具有空穴迁移率高,光通讯波段发光及与现有CMOS工艺相兼容等特点,其在光电子器件中具有重要的应用,如用来制作低阈值量子点激光器,单电子晶体管,探测器等.GeSi纳米结构的可控生长是实现其功能器件化的前提.然而平Si(001)衬底上获得的GeSi纳米结构具有尺寸分布不均匀且位置随机难控制的特点.因此,探寻一种简单有效的方法对GeSi纳米结构的大小,形状,分布及密度等进行调控非常重要.

关键词： 硅化锗纳米结构 可控生长 尺寸分布 硅衬底

作者: 周通 钟振扬

作者单位: 应用表面物理国家重点实验室和复旦大学物理系;山东理工大学物理与光电工程学院 应用表面物理国家重点实验室和复旦大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 53-54

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）