Si掺杂InAs/GaAs量子点激光器研究

摘要：

半导体量子点激光器展示出了低阈值、高调制速率和高温度稳定性等特性,有望成为下一代光通讯系统的重要光源.近年来,激发态激射量子点激光器因理论上更高的调制速率而备受关注.相同外延材料下制备的激发态激射量子点激光器,与基态激射激光器相比,也确实展现出了更高的调制速率.同时,更小的线宽增益因子也使激发态激射激光器更适合被应用于光通讯中.

关键词： 量子点激光器 砷化铟 砷化镓 硅元素掺杂

作者: 吕尊仁 张中恺 杨涛

作者单位: 中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 61-62

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）