GeSn薄膜材料的微结构及其发光性质研究
目前,随着晶体管尺寸的进一步缩小,微电子工业的电互连技术面临严峻挑战,其进一步发展可能依赖于光互连技术.硅基光互连技术被认为最有发展前景.而硅基光互连发展的瓶颈是硅基光源,这是由于锗、硅是间接带隙半导体材料.在硅基上集成的各种材料体系中,GeSn合金材料受到广泛关注,主要原因如下:与传统的硅基技术相匹配;可实现直接带隙的GeSn材料;GeSn材料随Sn组分的变化可覆盖整个红外波段(0～0.67eV).近年来,已经有实验及理论报导,当Sn组分大于9％时,GeSn合金可以实现直接带隙的高效发光.
合金半导体薄膜材料 生长工艺 带隙结构 发光性质
刘桃 王利明 祝广健 蒋最敏
复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433
国内会议
太原
中文
74-75
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）