原位激光干涉定位生长高质量外延半导体量子点

摘要：

通过将激光干涉直写纳米图形化（DLINP）技术嫁接到分子束外延上，InAs二维浸润层生长过程中，通过DLINP光致电激发诱导表面InAs从GaAs衬底选择性脱附形成量子点，定位生长了缺陷密度不高于自组织生长的InAs量子点。初步实现了1D、2D定位生长。

关键词： 外延半导体量子点 激光干涉生长 光刻图形化 自组织结构

作者: 彭长四 石震武 霍大云 邓长威 陈晨 杨琳韵

作者单位: 苏州大学光电信息科学与工程学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 79-79

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）