GaAsSb/InAs/GaAsⅡ类量子点结构MBE生长研究

摘要：

为了实现Ⅱ类能带结构及探究其物理特性，利用MBE在N型GaAs（100）衬底上外延生长了三组盖层材料分别为InGaAs（样品1，相当于Sb组分为0，参比片）、GaAs0.82Sb0.18（样品2）、和GaAs0.64Sb0.36（样品3）的量子点材料样品，三组样品中的量子点层生长条件相同。通过在InAs/GaAs量子点材料体系中引入一定Sb组分的GaAsSb盖层，量子点材料的能带结构由Ⅰ类转变为Ⅱ类，电子和空穴在空间上被分别限制，载流子寿命由1.24ns增加至6.19ns，这对于提高量子点中间能带太阳能电池的器件性能具有重要意义。

关键词： 半导体量子点 分子束外延生长 能带结构 物理性能

作者: 张中恺 吕尊仁 许锋 杨晓光 杨涛

作者单位: 中国科学院半导体研究所,材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重 点实验室,北京 100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京 100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 85-86

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）