锗基石墨烯研制进展
大尺寸单晶硅晶圆支撑集成电路发展持续六十余年.石墨烯材料作为具有极高载流子迁移率的沟道材料,有望替代当前的硅材料应用于未来集成电路技术中.当前,石墨烯材料主要利用化学气相外延方法生长在金属衬底上.然而,要实现真正石墨烯基集成电路,金属基底石墨烯难以与微电子工艺兼容,因此迫切需要将石墨烯材料与半导体衬底集成.通过研究发现，在半导体锗衬底上能够通过CVD方法生长出大面积连续石墨烯薄膜，石墨烯薄膜生长行为与锗衬底晶向具有紧密相关性。锗（100）和锗（111）两种衬底上易于获得随机取向的石墨烯晶畴，从而相互合并形成多晶石墨烯。锗（110）衬底台阶处晶格匹配效应，能够导致石墨烯晶畴取向排列，从而能够无缝拼接，形成单晶石墨烯晶圆。目前，已经成功4英寸单晶石墨烯晶圆演示，有望真正将石墨烯材料应用于集成电路制造。
锗基石墨烯 化学气相沉积 晶格匹配 电学性能
狄增峰 张苗 谢晓明 王曦
信息功能材料国家重点实验室,上海微系统与信息技术研究所,中国科学院
国内会议
太原
中文
97-97
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）