拓扑绝缘体Bi2Se3和(Bi1-xSbx)2Te3高质量薄膜的分子束外延生长及其电输运性质研究

摘要：

拓扑绝缘体以其独特的能带结构与新奇的物理性质,自问世以来就受到了广泛关注.第二代三维拓扑绝缘体Bi2Se3家族是其中的重要代表.利用分子束外延技术,在具备良好绝缘性能的SrTiO3衬底上通过范德瓦尔斯外延生长了高质量的Bi2Se3单晶薄膜,薄膜的厚度为15～20nm,并利用XRD、AFM等设备对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征.结果显示薄膜的晶体结构为(00l）(其中l=3n,n为整数)面的取向,表面形貌均匀,粗糙度很小.电输运测试表明，薄膜的载流子浓度在2-3×1013cm-2左右，迁移率在500-900cm2V-1s-1之间，同时样品的磁阻存在明显的弱反局域特征,并可利用门电压调控其化学势。

关键词： 拓扑绝缘体薄膜 分子束外延生长 电输运性质 能带结构

作者: 朱珊娜 史刚 赵鹏 李永庆 吴克辉 陈岚

作者单位: 中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100190 中国科学院物理研究所,纳米物理与器件重点实验室,北京,100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 100-101

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）