Ⅲ-Ⅴ雪崩光电探测器:低电压、波长延伸及量子倍增增强
本报告将介绍在InGaAs APD方面的持续探索，包括低电压型InGaAsAPD，波长延伸型InGaAs APD,和采用量子点倍增增强结构的GaAs APD概念演示器件。其中低电压型器件采用薄InAlAs电子倍增层和倍增吸收分离型结构，具有低工作电压、低击穿电压温度系数，高线性增益系数和高增益稳定性及阵列增益均匀性等优良特性，适合于进一步发展APD焦平面应用。波长延伸型器件在InP衬底上采用In0.75Ga0.25As赝配吸收层和In0.52Al0.48As晶格匹配倍增层，获得了截止波长为2.25μm的APD器件，77K下增益系数达22。证实了在赝配架构下延伸APD响应波长至中红外波段的可行性。倍增增强型器件则演示了采用InAs量子点倍增区实现对载流子雪崩几率的增强。报告中还将对APD器件的发展和应用趋势做出总结。
雪崩光电探测器 电压控制 波长延伸 量子倍增
马英杰 张永刚 顾溢 陈星佑 奚苏萍 杜奔 师艳辉 纪婉嫣 李爱珍
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
国内会议
太原
中文
104-104
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）