InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的MOCVD生长和制备
锑化物InAs/GaSb二类超晶格探测器是继碲镉汞红外探测器,量子阱红外探测器之后兴起的高性能制冷型红外探测器,具有暗电流小、俄歇复合率低、波长调节范围大等优点.目前国内外的InAs/GaSb二类超晶格探测器均用MBE生长.由于MOCVD是产业界主流技术,具有产能大生长温度高等特点,展开了用MOCVD生长InAs/GaSb二类超晶格探测器的工作.为了提高产能，采取了一台工业级的Aixtron2400机台，具备5×4”,8×3”和11×2”的生长能力，成功生长了一个锑化物中波红外探测器。该器件的截止波长为4.8μm，X光衍射卫星峰半高宽小于40弧秒，PL半宽为26meV，器件峰值响应率1.4A/W，零偏结阻抗为2.3×104Ωcm2，峰值探测率为7.2×1012cmHz1/2/W。无论是材料质量还是器件性能本结果均与MBE生长的锑化物探测器相当，证明了MOCVD作为锑化物超晶格材料生长方法的可行性。
红外探测器 气相外延生长 晶格结构 性能表征
黄勇 吴启花 赵宇 熊敏 赵迎春 董旭 张宝顺
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号,215123
国内会议
太原
中文
105-105
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）