面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究
本文作者采用化学气相沉积法在六角氮化硼表面成功制备边界平整且宽度可控的石墨烯纳米带。他们采用六角氮化硼表面沿着锯齿型方向的纳米沟槽为模板，实现单层石墨烯纳米带面内外延生长。该方法得到的石墨烯纳米带在室温下也能展示出高达104的开关比，700cm2/Vs的载流子迁移率和近50纳米的载流子平均自由程。该多维度异质结纳米带仅具有几个苯环宽度，可以打开带隙。其器件制备工艺与目前的大规模集成电路制造工艺相兼容，该制备方法的突破有可能为石墨烯纳米带在数字集成电路应用开辟新的道路。
石墨烯纳米带 制备工艺 异质结构 物理性能
王浩敏 陈令修 贺立 王慧山 谢晓明 江绵恒
中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
国内会议
太原
中文
119-119
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）