基于MBE的Ge-Graphene-Ge的2D/3D材料异质集成

摘要：

在Ge(110)衬底CVD生长的石墨烯上，利用分子束外延技术(MBE)获得了Ge-Graphene-Ge的异质结构，通过原位反射高能电子衍射(RHEED)实时监控外延生长过程和晶体属性，使用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究了形貌特征。开始时可同时观测到石墨烯和Ge的图形，随着Ge外延层不断变厚，石墨烯信号逐渐减弱至25分钟时基本完全消失，最终呈现点状与环状共存的形态表明多晶与单晶共存。在低温(250℃)时，则表现为完全多晶，而高温时(470℃)单晶比例显著增加。SEM观测结果与RHEED基本一致。同时观测到，在中间温度时，外延形成的Ge纳米颗粒会沿着石墨烯的褶皱排列成纳米墙结构。外延层晶向表征和整体结构的电学特性研究等相关工作仍在进行中。

关键词： 锗纳米颗粒 分子束生长 异质结构 电学性能

作者: 杨悦昆 宋禹忻 朱忠赟珅 张振普 薛忠营 张苗 王庶民 狄增峰

作者单位: 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院大学,北京,100049 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海科技大学,物质科学与技术学院,上海,201210 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;查尔莫斯理工大学,瑞典哥德堡,41296

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 123-124

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）