GaAs基In0.83Ga0.17As探测器结构InAlAs缓冲层生长温度优化
多年来,由于InxGa1-xAs(0.53≤x<1)短波红外光电探测器及其阵列在空间遥感、环境监测、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用,因而备受关注.如今,响应截止波长为1.7μm、与InP晶格匹配的In0.53Ga0.47As探测器已经商业化;而响应截止波长更长的短波红外波长扩展InGaAs探测器及其小规模线列器件也初具规模,但更大规模的焦平面制造技术则仍面临较大的挑战.主要是源自于低温缓冲层对界面起到了良好的改善作用。特别是在低温的InAlAs 异变缓冲层和540oC 下生长的In0.83Al0.17As 模板上生长的In0.83Ga0.17As 失配材料，其光荧光强度可提高数倍，如图1 所示。这些研究结果对于未来在GaAs 衬底上研制大规模红外焦平面打下了坚实的基础。
红外光电探测器 砷化镓材料 缓冲层 生长温度
陈星佑 张永刚 顾溢 马英杰 奚苏萍 杜奔 张见 师艳辉 纪婉嫣 朱怡 李爱珍
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海200050
国内会议
太原
中文
134-135
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）