蓝宝石基片退火预处理对氧化镓薄膜结晶质量及其紫外光敏特性的影响

摘要：

近年来,超宽禁带半导体-氧化镓作为日盲紫外探测的候选材料,正受到学术界越来越多的关注.β-氧化镓的禁带宽度约为4.9eV,对应的响应波长约为250nm,因此天然地适用于日盲紫外探测,而可以避免类似AlGaN、ZnMgO等材料体系遇到的合金化难题.尝试对对C面蓝宝石基片进行长时间的真空退火预处理，以促使基片表面重构，减少缺陷，以期改善后续氧化稼分子束外延(MBE)薄膜的质量以及日盲紫外探测器的性能。

关键词： 半导体薄膜 氧化镓 分子束外延生长 蓝宝石基片 退火预处理 结晶质量 紫外光敏特性

作者: 钱凌轩 刘兴钊

作者单位: 微电子与固体电子学院,电子科技大学,成都,610054;电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 138-139

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）