短/中波波双色HgCdTe组件制备与表征

摘要：

文章报道了基于分子束外延碲镉汞(MCT)短/中波双色材料、器件的最新进展.采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并优化了材料质量,材料表面缺陷密度控制在800cm-2以内,通过扫描电子显微镜可以看出各层材料间界面陡峭;使用傅里叶转换红外线光谱分析仪(FTIR)、XRD等方法对材料进行了表征;基于此材料制备出了短/中波碲镉汞组件,并对组件进行了全面的表征,性能良好,成像清晰.

关键词： 半导体组件 碲镉汞 双色材料 制备工艺 成像性能

作者: 王经纬 陈惠卿 王亮 王经纬

作者单位: 中国电子科技集团公司第十一研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 144-144

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）