GaSb(100)同质外延表面形貌优化

摘要：

在GaSb衬底的6.1(A)Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体红外光电子材料外延生长过程中,GaSb缓冲层的表面平整度是影响后续生长量子阱和超晶格质量的重要因素.研究了GaSb(100)衬底上使用分子束外延生长获得最佳GaSb缓冲层表面形貌的条件.通过观察反射高能电子衍射图上出现的清晰(1×3)表面再构,设定衬底脱氧温度为530℃,并且在不同生长温度和Sb2/Ga束流比下,获得了三种类型表面形貌,即富Sb,富Ga和平整表面.每种表面类型都使用原子力显微镜进行了表征.

关键词： Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 锑化镓衬底 同质外延 表面形貌

作者: 于天 刘舒曼 徐波 刘峰奇 王占国

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,中国科学院大学材料科学与光电技术学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 153-154

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）