高质量AlInAsSb体材料的分子束外延及其表征

摘要：

AlInAsSb四元合金可以在InP、InAs、GaSb衬底上晶格匹配地进行外延生长,由于能带可调范围大而在近红外、中红外光电器件的应用上极具潜力.然而,AlInAsSb由于混溶隙较大、生长窗口较小,目前针对该材料的生长及表征仍少有研究.本文在GaSb衬底上通过分子束外延(MBE）进行不同Al组分AlInAsSb体材料的生长条件优化,通过光学显微镜、AFM、HRXRD等材料表征手段寻找到材料合适的生长温度、Ⅴ-Ⅲ束流比和生长速度,材料表现出较高的质量.

关键词： 半导体材料 铝铟砷锑 分子束外延生长 工艺参数 结晶质量

作者: 吕粤希 韩玺 孙姚耀 蒋志 徐应强 王国伟 牛智川

作者单位: 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京,101408

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 158-158

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）