中短波双色HgCdTe材料阻挡层生长与表征
报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展.使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,分析HgCdTe材料大缺陷形成原因并提出解决方案,优化了Si基中短波双色HgCdTe材料阻挡层生长工艺,解决了双色HgCdTe材料缺陷较大的问题.获得了具有良好晶体质量的Si基中短波双色HgCdTe材料.双色HgCdTe材料表面缺陷密度控制在2000cm-2以内.使用傅里叶转换红外线光谱分析仪(FTIR)对双色HgCdTe材料进行测试,并通过分析计算获得的红外透过光谱得到各层HgCdTe材料组分与厚度.解决了阻挡层组分与厚度表征困难的问题.
中短波双色半导体材料 碲镉汞 阻挡层 晶体生长 表面缺陷密度
高达 王经纬 王丛 高达
中国电子科技集团公司第十一研究所
国内会议
太原
中文
159-159
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）