GeSn薄膜的MBE生长和快速退火研究

摘要：

锗锡(GeSn)合金由于带隙属性和大小可调以及高迁移率的特性,已经成为拓展当前硅基光电器件应用领域的潜力材料.锗本身是一种不利于发光的间接带隙半导体材料,但是,当向锗中加入锡后,能带结构将发生改变,并于锡组分达到7％时转变为直接带隙.GeSn二元系统的热平衡固体互溶度仅有1％,偏析是高质量GeSn合金生长中最大的挑战.

关键词： 半导体薄膜 锗锡合金 分子束外延生长 退火工艺

作者: 张振普 宋禹忻 李耀耀 朱忠赟珅 吴晓燕 韩奕 陈其苗 张立瑶 王庶民

作者单位: 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海科技大学,物质科学与技术学院,上海,201210 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院大学,北京,100049 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;上海科技大学,物质科学与技术学院,上海,201210;查尔莫斯理工大学,瑞典哥德堡,41296

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 162-163

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）