2μm波长高效率量子阱设计

摘要：

采用MBE生长三种不同结构的应变量子阱,势垒厚度均为20nm,势阱厚度10nm,波长2μm左右.分别为AlGaAsSb数字合金作为势垒,InGaSb数字合金作为势阱,AlGaAsSb数字合金作为势垒,InGaSb体材料作为势阱;以及势阱和势垒均为为体材料,通过傅里叶光谱仪测试,发现数字合金作为势垒,体材料作为势阱可以大幅度提高量子阱的光谱强度.

关键词： 应变量子阱 分子束外延生长 数字合金 体材料 光谱强度

作者: 谢圣文 张宇 徐应强 廖永平 柴小力 杨成奥 牛智川

作者单位: 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京,101408

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 164-164

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）