MBE材料组分均匀性的表征方法
为扩大产量,商业化MBE材料生产通常采用大尺寸、多衬底的生长方式,所面临的均匀性问题十分突出.一方面,对于焦平面探测器等尺寸较大的器件,若不能有效改善均匀性,将极大地限制良品率.另一方面,对于激光器等尺寸较小的器件,材料非均匀性也会极大影响不同器件的性能均一性.对于外延层与衬底晶格匹配,且禁带宽度差别较大的材料,表征组分均匀性的可能方法有室温光荧光(RTPL）测量,高分辨X射线衍射(HRXRD）ω/2θ扫描.采用DCAP600MBE系统在GaAs衬底上生长了4英寸Al0.28Ga0.72As外延片，分别使用光栅光谱仪和HRXRD测量了样品的荧光光谱和ω/2θ曲线，获得了组分均匀性结果。
分子束外延半导体 铝砷化镓 组分均匀性 室温光荧光法 X射线衍射法
张亚光 顾溢 陈平平 张永刚 李雪 龚海梅
中国科学院上海技术物理研究所 传感技术联合国家重点实验室,上海 200083;中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
国内会议
太原
中文
165-166
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）