nAs/GaSbⅡ类超晶格拓展可见到中红外宽光谱探测器

摘要：

宽光谱成像技术在遥感、矿产探测、生物医学等方面具有广泛的应用而备受关注.在分子束外延(MBE）生长的GaSb基InAs/GaSbⅡ类超晶格材料吸收区上实现不同形状、不同尺寸的光陷阱微结构,有效增加了探测器的光吸收.探测器探测到中波红外光的同时,实现对可见光波段的探测.模拟显示光陷阱结构可有效降低InAs/GaSbⅡ类超晶格材料反射率,从而实现可见光拓展的中波红外.

关键词： 宽光谱探测器 超晶格半导体 光陷阱结构 中波红外光 可见光波段

作者: 郭春妍 孙姚耀 王国伟 徐应强 蒋洞微 汪韬 牛智川

作者单位: 中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室;西安交通大学;中国科学院大学 中国科学院大学;中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体研究所 中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 167-167

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）