InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化

摘要：

InGaAs红外光电探测器及其阵列波长在航天遥感、夜视、光谱测量等领域都有重要的应用.材料生长过程中,衬底温度是除Ⅴ/Ⅲ和生长速率外的一个重要的工艺参数.对于InP基InAlAs异变缓冲层上生长高In组分InGaAs材料为基础的异质探测器结构,需要对各层材料分子束外延生长温度进行严格的控制以防止组分分凝和结晶退化带来的影响.

关键词： 半导体材料 铟砷化镓 分子束外延生长 磷化铟基 衬底温度 短波红外探测器

作者: 张见 陈星佑 顾溢 马英杰 奚苏萍 杜奔 张永刚

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 170-171

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）