含超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17As/InP探测器结构优化
(0) 在民用和军用的短波红外(SWIR）探测器中,1-3μm波段的高铟组分InxGa1-xAs(x>0.53)pin型光电二极管探测器已获得广泛应用.不同于光通信应用中将探测器的带宽作为关键器件性能指标,航天遥感应用则更强调探测器的暗电流和光电流参数,对于响应速度则并没有苛刻的要求.在具有相同器件结构的赝配In0.83Ga0.17As/InP探测器的吸收层中插入In0.66Ga0.34As/InAs超晶格电子势垒，并调控势垒的插入位置，分别位于吸收层的正中间(PD-1)和吸收层内靠近PN结耗尽区的位置(PD-2)。测试结果表明PD-2在室温时拥有更强的光响应度.77K下，PD2的暗电流比PD-1降低了1个数量级。
短波红外探测器 光电二极管 铟砷化镓 磷化铟基 超晶格电子势垒 结构设计 光响应度 暗电流
师艳辉 张永刚 顾溢 马英杰 陈星佑 龚谦 纪婉嫣 杜奔
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
国内会议
太原
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172-173
2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）