2μm量子阱激光器的结构优化设计

摘要：

目前半导体激光器功率转换效率低下,通过改变波导层限制层铝组分以及波导层厚度等方面的外延结构,可以降低串联电阻和工作电压,从而提高激光功率转换效率,为此使用固态源Gen-ⅡMBE系统,进行(AlGaIn）(AsSb）压应变单量子阱结构的激光器结构的稳定生长,通过改变波导层及限制层铝组分,结合标准的宽脊条半导体激光器制备工艺.

关键词： 半导体激光器 量子阱 波导层 限制层 铝组分 制备工艺

作者: 张克露 谢圣文 张宇 徐应强 王金良 牛智川

作者单位: 北京航空空航天大学,物理科学与核能工程学院,北京,100191;中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083;中国科学院大学,材料科学与光电技术学院,北京,101408 北京航空空航天大学,物理科学与核能工程学院,北京,100191

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 176-176

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）