Ge(211)异质衬底分子束外延HgCdTe薄膜材料及器件性能

摘要：

采用RIBER Epineat分子束外延系统,采用Ge(211)衬底经过表面处理,在生长腔体进行高温脱氧,As束流保护下进行表面钝化,在250℃采用表面增强(MEE）法生长50周期Zn/Te交替结构,固定生长面为(211）B面,同时抑制晶格失配产生的螺旋位错;在290℃±5℃生长8～10μm的CdTe缓冲层,在183℃±0.5℃生长11μm的MCT薄膜,在原位对MCT薄膜材料进行8周期的热循环退火.

关键词： 半导体薄膜 碲镉汞 锗异质衬底 分子束外延生长

作者: 李艳辉 杨春章 覃钢 杨晋 李东升 孔金丞

作者单位: 昆明物理研究所,云南,昆明650223

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 182-183

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）