InGaAsBi掺碳特性及欧姆接触特性研究

摘要：

稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研究发现有许多新的物理性质,比如强带隙收缩,价带边上升,强自旋轨道耦合,具有表面剂作用及对电子输运影响小等.因为铋元素是五族元素中最大最重的元素,当被引入三五族化合物中时,会形成最大的自旋轨道耦合,价带边上升,剪裁能带.在本文中，详细介绍利用V90GSMBE生长掺碳InGaAsBi薄膜的研究。实验证明在InGaAs掺碳中引入稀铋可以提高掺碳效率和固溶度，275℃生长条件下，获得应力匹配的n型InGaAsBi薄膜，其体电子浓度可以达到1x1021cm3，通过传输线模型测试得到其比接触电阻为2.86e-08Ω·cm2。

关键词： 半导体薄膜 铟镓砷铋 晶体生长 掺碳效率 固溶度 欧姆接触特性

作者: 周书星 齐鸣 艾立鹍 徐安怀 王庶民 郭旗

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐北京南路40-1号,830011;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海市长宁路865 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海市长宁路865号,200050 中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,乌鲁木齐北京南路40-1号,830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国分子束外延学术会议

会议地点: 太原

会议语种:中文

页码: 188-189

在线出版日期: 2017-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）