AlN陶瓷Mo-Mn法金属化研究

摘要：

随着微电子技术的快速发展，混合集成电路(HIC)和多芯片组件(McM)方面对陶瓷封装材料提出了更高的要求。氮化铝(AlN)陶瓷具有优良的综合性能,在微电子和微波真空管等电子工业领域中有广泛的应用.以Mo、Mn、MnO、Al2O3、SiO2和CaO等(粒径＜10μm)为原料,在氧化之后的AlN陶瓷表面烧结制得金属化层.通过X射线衍射、扫描电镜及能量色散谱对金属层做物相、显微形貌及能谱成分分析,初步探讨该金属化法的结合机理.结果表明:AlN陶瓷在空气气氛中经过1100℃保温3h高温处理之后,表面生成一层氧化铝(Al2O3),金属化层与陶瓷之间的结合强度超过55MPa.结合机理是:玻璃相的相互迁移渗透在陶瓷与金属层之间形成机械结合,新共熔物(CaO)12(Al2O3)7的生成也有助于提高结合强度.

关键词： 电子封装 氮化铝陶瓷 金属化工艺 物相分析 显微形貌 能谱成分分析 结合强度

作者: 曹昌伟 冯永宝 李军

作者单位: 南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京211009;江苏先进无机功能复合材料协同创新中心,江苏南京211009 南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京211009 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会

会议地点: 江苏无锡

会议语种:中文

页码: 18-21

在线出版日期: 2016-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）