BeO-SiC复合衰减材料的制备及其性能
以氧化铍、碳化硅为原料.采用热压烧结工艺,在1800~1900℃,氮气气氛下制备BeO-SiC复合陶瓷材料.采用网络分析以及激光热导仪等检测仪器,研究了热压烧结制备的材料的微波衰减性能及导热性能.研究结果表明:采用热压烧结工艺可以在1800~1900℃制备组织致密均匀的BeO-SiC复合材料;采用SiC为原料的BeO-SiC复合材料具有适当的介电性能和良好的导热性能.
复合陶瓷 氧化铍 碳化硅 热压烧结 微波衰减性能 导热性能
管建波 韦方明 曾志彦
湖南有色铍业有限公司,湖南长沙410000
国内会议
全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会
江苏无锡
中文
30-32
2016-09-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)