高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究

摘要：

采用高纯Si粉作为起始原料,通过流延成型、氮化和气压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片.通过优化分散剂、粘结剂和塑性剂的含量以及流延工艺过程,制备出厚度可控的Si膜.进一步氮化得到微结构均匀的氮化硅素坯.通过气压烧结制备出氮化硅陶瓷基片,热导率达到76W/m·K.

关键词： 氮化硅陶瓷 制备工艺 微观结构 热导率

作者: 张景贤 段于森 江东亮 陈忠明 刘学建 黄政仁 扬建 李晓云 丘泰

作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海200050 南京工业大学材料科学与工程学院,江苏南京210009

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国电子陶瓷、陶瓷—金属封接第十六届会议暨真空电子与专用金属材料分会2016年年会

会议地点: 江苏无锡

会议语种:中文

页码: 7-10

在线出版日期: 2016-09-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）