一种新结构硅TPJBS二极管的器件与工艺仿真

摘要：

提出了一种硅沟槽P型结势垒肖特基复合(TPJBS)二极管新结构.采用半导体器件与工艺仿真软件TCAD对这种结构的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真,结果表明,这种结构具有通态电流大,导通电阻低,击穿电压高的优点,更适合需要较高反压快速恢复二极管的系统应用.采用TCAD对这种结构进行了工艺仿真,论证了在目前的工艺条件下,这种器件结构的可制造性,具有很强的实用性.

关键词： P型结势垒肖特基复合二极管 制备工艺 正向导通特性 反向击穿特性 仿真分析

作者: 张海鹏 程雨 齐瑞生 王彬

作者单位: 杭州电子科技大学电子信息学院/杭州电子科技大学浙江智慧城市研究中心 杭州 310018 上海华力微电子有限公司,上海,201203

会议类型: 国内会议

会议名称: 杭州电子科技大学第九届研究生IT创新学术论坛

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 141-146

在线出版日期: 2016-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）